二氧化锗，化学式GeO2。分子量 104.59。有不溶性的和可溶性的两种变体。前者为无色四方晶系棱柱体，熔点1086±5℃，相对密度6.23925，折光率1.99。不溶于水和酸、碱溶液中，仅在550℃下与10倍量的NaOH熔融。后者为无色六方晶系菱形晶体，熔点1115±4℃，相对密度4.22825，折光率1.695。易溶于水，溶于酸、碱。两种变体转化温度为1033℃。二晶型间的转变很缓慢; 另有一无色透明玻璃状体，由熔融二氧化锗骤冷而得。六方型晶体与玻璃状体能溶于盐酸生成四氯化锗，溶于氢氟酸生成六氟合锗酸; 四方型晶体化学性质惰，仅溶于过量的熔碱及熔碳酸钠中。

制法：由四氯化锗水解制得。
用途：二氧化锗是制半导体用高纯度锗的中间体，还可用于制特种玻璃、磷光材料及晶体管等。干燥的氧化锗对皮肤无刺激作用，但对结膜有刺激作用。
空气中最高容许浓度为2mg/m³。
操作中要防止锗和氧化锗的气溶胶对于呼吸器官和皮肤的作用。注意佩戴劳保用品。白色粉末，六方晶系、四方晶系或无定形固体。六方晶系：相对密度4.228，熔点(1115±4)℃。四方晶系：相对密度6.239，熔点(1086±5)℃。不溶于水、盐酸；溶于碱溶液生成锗酸盐。用于制金属锗，也用作光谱分析及半导体材料。用于制锗，也用于电子工业用于制定取锗锭、有机锗、锗酸铋晶体、催化剂、光纤用四氯化锗、荧光粉和锗玻璃等原料。四氯化锗水解法在四氯化锗中加入6.5倍体积的蒸馏水，搅拌后放置一昼夜，生成二氧化锗沉淀，用冷水洗涤至洗液不含Cl^-为止。于200℃干燥得到二氧化锗产品。其
GeCl4+2H2O→GeO2+4HCl