硫化铟是一种具有极高潜在利用价值的半导体材料,可作为CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层材料,并有望作为Cds缓冲层的替代材料,在光伏与光电器件上有很好的应用前景。硫化铟作为低危害性缓冲材料,具有宽带隙(2.2 eV)和易合金化条件等特性,可作为纯红色 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 量子点的壳层候选材料。在常温常压下比较稳定,属于立方晶系,具有四面体和八面体的空间结构,并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3种相,常温下稳定的为β 相。
硫化铟又称三硫化二铟,铟的硫化物之一,红色立方晶体或黄色片状晶体。化学式为In2S3,相对分子质量325.83。相对密度4.90。熔点1050℃。真空850℃升华。非挥发性。不溶于水。不水解。溶于盐酸、硝酸、硫化钠溶液,具有较大的负电阻系数。可在热敏电阻,整流器,光导材料等方面应用。
在常温常压下比较稳定,硫化铟属于立方晶系,具有四面体和八面体的空间结构,并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3种相,常温下稳定的为β 相。
每100毫升水中的溶解克数:
2.867×10-14/20℃
用途
硫化铟用作材料科学。用于半导体材料,原子吸收光谱测定。制造低熔点合金,轴承合金,颜色玻璃。可作电子工业材料、半导体掺杂源。
生产方法
将装有三氧化二铟的刚玉小盘放入石英管中,在通入经干冰液化提纯的硫化氢的条件下,将反应管加热至500℃保持5h,再升温至700℃保持8h。产物即为红色三硫化二铟,熔融后变为有光泽的黑色产物。该产物为β-In2S3的高温变型产物。而低温变型产物α-In2S3可由下法制取:即往溶于乙酸乙酸盐缓冲水溶液的三价铟盐溶液中,通入硫化氢,将生成的沉淀于100℃以下的温度下,在P2O5上进行真空干燥即得。但是难以制得纯品。